CVD钨管工艺参数对沉积速率的影响

CVD钨管工艺参数：
反应气体：WF₆和H₂ 的通入量和配比保持不变
沉积温度：500℃，600℃，700℃，800℃（加热方式不变）
沉积基体：紫铜管，相同管径
还原反应：WF₆ + H₂ → W + 6HF (125Kj/mol)   

CVD钨管工艺参数对沉积速率的影响：
由CVD钨管实验的结果分析可以看出以下几点：
CVD钨管的沉积速率随着沉积温度的升高而加快。

当沉积温度低于500℃时，还原反应的速度非常缓慢，钨管沉积膜层的生长速率很低。

当沉积温度在500℃-700℃时，CVD钨管的沉积速率的提高较明显。

当沉积温度在700℃-800℃时，CVD钨管的沉积速率的加速较缓慢。

若是沉积温度超过800℃，所获得的钨管沉积层组织结构很疏松，不存在实际的使用价值，所以，沉积温度宜控制在500℃-700℃。


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