三氧化钨纳米薄膜的制备

近年来，三氧化钨被认为是制备是用来检测NO_X，NH₃，以及O₃的最好气敏材料之一，纳米结构的三氧化钨薄膜的性使得薄膜的特性得到明显的改善。而采用纳米结构的三氧化钨薄膜作为传感器，灵敏度也能得到显著的提高。纳米三氧化钨薄膜的制备方法如下：
1.首先在抛光的Si上用PECVD法生长一层Si₃N₄，在Si₃N₄表面溅射叉指向Pt电极，再在其上用直流反应磁控溅射法沉积1500A的WO3薄膜。
2.为了得到良好稳定性能的半导体WO₃薄膜，在不同温度下进行两步热处理。首先先将薄膜在300℃下处理6h，随路冷却至室温。
3.然后将前一步经过热处理的薄膜在600℃下进行第二次热处理，时间为12小时，得到WO₃气敏原件。

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