三氧化钨电致变色薄膜的研究进展（1）

三氧化钨的电致变色的响应时间是根据离子/电子在材料内部的扩散、输运速率决定的。由于离子的尺寸要远远大于电子，因此离子的运输与扩散是整个电致变色过程中最缓慢的环节。所以，要提高三氧化钨电致变色的响应性能关键在于缩短离子在材料内的扩散与运输时间。而限制离子注入/抽出速率的因素主要有两个：一是离子扩散系数。二是离子扩散途径。随着研究的深入，目前提高WO₃薄膜的快速响应性能，主要从改变WO₃薄膜的微观结构入手。例如利用溶胶-凝胶法制备WO₃·H₂O，由于（WO₄）^2-周围有水分子包围致使活性离子（H+、Li+）更容易扩散，从而大大缩短了相应的时间。而根据电致变色机理为离子、电子双注入/抽出电致变色薄膜，因此提高薄膜的表面积可以提高薄膜的电致变色性能。而运用磁控溅射法在ITO导电玻璃上制备一层致密ZnO薄膜作为基底材料，然后长出ZnO纳米棒，最后将WO₃微粒利用脉冲激光沉积技术法沉积到纳米棒的表面。试验证明，三氧化钨薄膜的稳定性和相应速度都有很大的提高。

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