热蒸发法制备氧化钨纳米线

热蒸发法是一种气相沉积法，它具有高效率的特点。采用热蒸发法制备氧化钨纳米线的具体过程是首先将热蒸发的本底真空度设为10^-1Pa，工作强压设为10Pa，蒸发时间为15min。再将钨粉放入炉子中的钨丹上，将硅片水平放置与钨丹的附近。然后通入惰性气体进行吹扫氩气，扫除的流量设为70sccm。最后加热钨丹，钨粉受热氧化成氧化钨，在硅片上沉积并长出纳米线，蒸发的温度分别设置为975℃、1000℃、1025℃、1050℃，硅片温度保持在550。经过专家研究发现，氧化钨纳米线的生长存在一定的规律，随着蒸发温度的升高，硅片表面的蒸气浓度也会变大，过饱和度升高，形核数增加，氧化钨纳米线的直径增加，高度则先增后减，温度过高时晶向取向性降低。而硅片温度的升高，硅片上的氧化钨蒸气分子的活性变大，氧化钨纳米线的结晶速度加快，高度也增加了。可见要制备不同形貌的氧化物纳米线可以通过控制蒸发源和硅片温度。

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