钯影响三氧化钨薄膜氢气敏感性
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2014年9月05日 星期五 14:19
- 作者:liwj
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氧化钨具有气体敏感性,用于检测二氧化氮,氨气等有毒气体的检测。被制备成三氧化钨薄膜的气体传感器因结构简单,能够通过改变金属催化剂和工作温度来检测不同气体。在三氧化钨薄膜上添加掺杂物,可改变三氧化钨薄膜的检测性能,以下对三氧化钨薄膜掺加钯进行实验分析:
将热蒸发法镀膜的三氧化钨薄膜分别在空气中400℃、500℃、600℃进行热处理4h退火后和钯沉积的厚度进行分析。实验结果分析得知三氧化钨薄膜在经过500℃热处理时呈现四方晶体的多晶态,沉积钯对三氧化钨的晶体结构没有影响,但随钯的添加抑制了三氧化钨的晶粒生长。500℃以上热处理时钯在薄膜表面呈现小球状,600℃以上热处理时钯粒子在薄膜表面凝结或扩散到材料内部。2nm钯沉积的三氧化钨薄膜在工作温度250℃时反应灵敏度和恢复特性对氢气的检测特性最好。
可见,作为催化剂的金属钯由于对氢气的反应极具活跃,在室温下约吸收自身体积850倍的氢气,而且在氢气压力低时可以释放,是不可多得的氢催化材料,用于三氧化钨薄膜上可提高氢气敏感性。
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