三氧化钨薄膜用途-OLED缓冲层
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2014年9月03日 星期三 15:13
- 作者:liwj
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OLED指的是有机电致发光器件,该器件极具潜力,在当前受到了广泛的关注,并得到了实际的应用。研发人在提高OLED器件发光效率,发光光度,功率效率以及延长器件使用寿命等方面进行了大量研究,为了实现高性能OLED器件,降低驱动电压是必然的趋势。该器件常用的阳极材料为ITO,并在IWO和NPB层之间插入三氧化钨薄膜作为缓冲层,从而改变该器件的电学性能。
与无插入三氧化钨薄膜作为缓冲层的器件对比,当工作电压加至8V时,两种器件都开始发光;工作电压超过15V后,有缓冲层器件的发光亮度迅速增加,在工作电压为20V时,无插入缓冲层的器件亮度为8791cd/㎡,而有插入缓冲层的器件亮度为17360 cd/㎡。可见,加入三氧化钨薄膜缓冲层的器件可有效提高了发光亮度。
终上所述,当OLED器件插入三氧化钨薄膜为缓冲层时,随着工作电压的增加,器件的电流密度也跟着逐渐增加,在三氧化钨薄膜的作用下其电流密度增长迅速,从而使得器件的工作效率得到了提高。
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