制备氧化钨薄膜-物理气相沉积法
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2014年8月20日 星期三 14:49
- 作者:liwj
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制备氧化钨薄膜-物理气相沉积法,是将原料加热至高温,使之气化,接着在较大温度梯度条件下急冷,在基片上凝聚成氧化钨薄膜的方法,其本质是系统中不发生化学变化的蒸发-凝聚法。
首先把纯度为99.9%的氧化物分末置于石英管中央,把石英管放在水平管式炉中加热,控制石英管中的温度梯度、压强和蒸镀时间可制得高纯的氧化钨,接着将高纯的氧化钨制成直径为10mm高6-10mm的圆柱靶材,随后在空气中加热至700℃保温8h。激光器功率为60KV,电流为20mA,产生波长为1064nm的激光以5HZ的频率每次持续12ns的时间,照射在12rpm的速度旋转靶上9000次。气相沉积舱的压强保持在13.3pa,基片温度为200℃,沉积得到的氧化钨薄膜厚度约为870-980nm。
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