半导体存储器用纳米氧化钨

半导体存储器之所以选用纳米氧化钨材料来生产储存介质,是因为它是一种非常重要的半导体材料,具有良好的电化学性能,幷且在电场作用下其电阻值能发生可逆转变。下面,我们一起来了解一下基于氧化钨存储元件的存储装置的制造方法。

半导体存储器用纳米氧化钨图片

制造方法(一)

存储装置包括插塞,插塞从基板的顶表面向上延伸穿过一介电层;底电极,底电极的外表面具有钨,底电极从插塞的顶表面向上延伸;绝缘材料,绝缘材料环绕底电极幷且与底电极的外表面的钨接触;存储元件,位于底电极的上表面,存储元件包括一氧化钨化合物,且存储元件可编程为至少两种电阻态;以及顶电极,顶电极上覆幷接触存储元件。另外,插塞具有第一侧向尺寸,底电极具有侧向尺寸,侧向尺寸平行于插塞的第一侧向尺寸,且侧向尺寸小于插塞的第一侧向尺寸。

半导体存储器用纳米氧化钨图片

制造方法(二)

钨氧化物存储部是使用非关键掩膜氧化钨材料形成,或者在部分实施例中不需要任何掩膜亦可形成。在此揭露的存储器装置包括底电极及存储器元件,且存储器元件位于底电极上。存储器元件包括钨氧化合物且其有两种以上的电阻状态;上电极包括阻隔材料,位于存储器元件上,且此阻隔材料的目的是为了避免金属离子从上电极移动到存储器中。

相对于传统的半导体储存器来说,氧化钨存储元件拥有更好的响应性能。

 

 

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