烧结法制备N掺杂WS2纳米片

目前，对于二硫化钨的制备方法主要采用射频溅射法、模板法、水热合成法、微波辅助合成法及超声化学合成法等。但是，这些方法均存在对于设备要求高、工艺复杂、成本昂贵、不利于器件的开发和应用。针对上述的不足，下文将为大家介绍一种能制备具有大比表面积的N掺杂WS2纳米片的烧结法。其具体步骤如下：

a）首先将氯化钨放入容器中，然后向容器中加入硫脲，最后向容器中加入酒精得到的胶体；

b）将得到的胶体放入恒温箱中，在70-100°C下干燥；

c）将干燥好的样品放入瓷舟中，在100-200 sccm的氩气环境下和在540-560°C的管式炉中烧结2-4小时后随炉降温即可得到产物。

该烧结方法的注意事项有：

（1）氯化钨与硫脲的质量比1:1-6，每克硫脲加入酒精8-50ml。

（2）步骤c）中管式炉从室温到540-560°C的升温速率为8-12摄氏度/分钟。

与现有的生产方法相比，该烧结方法的优势有制备工艺更简单，生产成本更低廉、反应条件更易可控和可重复性更高。N掺杂WS2纳米片不仅具有二硫化钨的优异理化性能，还有较大的比表面积（110m2/g），所以其应用领域更为广泛。

二硫化钨纳米片作为典型的过渡金属硫化物，不仅是一种具有间接带隙的半导体材料，还是一种晶体结构类似于石墨的材料。其除了具有优异的减摩和耐磨性能外，还具有特殊的光、电、热等性能。

• < 上页
• 下页 >