溅射法制备W18O49纳米棒

作为一种非化学计量比的氧化钨（WO3-x），W₁₈O₄₉的制备研究仍处于探索阶段。目前，国内外对于制备W₁₈O₄₉的研究大多集中在W₁₈O₄₉纳米线和纳米棒粒子材料的制备方法上。其中，溅射法是制备W₁₈O₄₉纳米棒的一种可行方法。

溅射法主要是利用直流或高频电场产生的巨大能量电离惰性气体，被电离的高能惰性气体获得能量后通过撞击过程，与靶材表面的原子或分子发生能量交换，将能量传递给表面的原子或分子进而发生溅射，最终在衬底上沉积成薄膜。

W₁₈O₄₉纳米棒通过溅射法成功制备得到，具体过程如下：

1.以石英反应器玻璃板作支撑衬底，W₁₈O₄₉纳米棒是生长在该衬底上的；

2.在大气压力下，将钨薄膜样品在氮气气氛中加热至700℃；

3.将乙烯引入到反应器内，反应20分钟，并使用在线色谱监测仪分析检测输出气体的成分；

4.将样品在氮气气氛下冷却至室温，从而成功制得W₁₈O₄₉纳米棒。

制备所得W₁₈O₄₉纳米棒直径为15-20 nm，平均长度为50-250 nm。纳米棒在钨薄膜上均匀生长，且产量很高。不仅如此，制备过程还发现纳米棒可于薄膜两侧同时生长。采用高分辨透射电子显微术来确定纳米棒化学结构和相组成，HRTEM图像显示沿着纳米棒长边的晶面间距为0.378 nm。

溅射法是制备W₁₈O₄₉纳米棒的一种可行方法，其具备沉积速度快、工艺重复性好及产物与衬底结合好、纯度高等多种优点。

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