射频溅射法制备二硫化钨薄膜

射频溅射法是一种常见且简单可行的二硫化钨薄膜制备方法。该方法在惰性气体中对二硫化钨靶材不断射频激励放电，从而成功制备二硫化钨薄膜。

射频溅射法是利用射频放电等离子体中的正离子轰击靶材，溅射出靶材原子，从而沉积在接地的基板表面以制取薄膜。该方法用交流电源代替直流电源构成交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段（5~30 MHz），所以这种溅射方法称为射频溅射。射频溅射方法几乎可以用来沉积任何固体材料的薄膜。

射频溅射法制备硫化钨薄膜具体过程如下：

采用纯度为99.99％的二硫化钨粉末经过压制烧结制成耙材，在氩气或氩气的混合气体中进行射频激励放电，使二硫化钨沉积在玻璃基片上形成薄膜。本底真空为4x10^-4 Pa，充入氩气分别至工作压力1 pa，溅射功率30 W，沉积1 h。

射频溅射法可以较为直接地获得硫化钨薄膜，制备所得薄膜致密、与基片附着牢固、建设速率大、工艺重复性好。该方法工艺简单，操作起来简单方便。

然而，该方法也存在局限性：

1.二硫化钨薄膜的化学成分不稳定。薄膜中硫和钨的比例会随工作压力和溅射功率的变化发生改变；

2.二硫化钨薄膜结晶率不高，制得薄膜一般为非晶态结构；

3.无法大规模大面积生产。由于制备过程中溅射压力和功率等工艺参数不易控制，因此射频溅射法仍然是实验室制备或单件小工件生产二硫化钨薄膜的重要方法，不适用工业上的量化生产。

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