氮气对氧化钨陶瓷电学性能的影响

在氮气条件下烧结的氧化钨陶瓷电阻最小、导电性最好。这说明在氮气气氛中烧结，可以促进氧化钨陶瓷中氧空位的形成，与氧化钨真空烧结的效果相似。样品2和3的电阻比样品1的电阻大。而样品4的伏安特性曲线与样品1的基本重合，样品的电阻最大。它有非线性电学特性。

这说明氧气分压、降温速率对氧化钨陶瓷的电阻有很大的影响。所有样品在升温阶段和1100℃保温阶段时，都处于氮气气氛中，从而促使氧化钨中氧空位的形成。但是降温阶段通入氧气后，只有样品5有压敏特性。

根据缺陷化学理论，能够推导氧分压对陶瓷中氧空位浓度的影响。高的氧分压只能抑制氧空位形成，却不能停止氧空位的形成。样品2和3的晶界也吸附了氧，但是由于处于高氧分压中，体内氧空位浓度减少。导致其可以用于吸附氧的活性点位减少。同时使晶界势垒的高度，不足以使其在电流密度为1-10mA的区域内发生非线性电学现象。但是在更高的电流密度区域内能够发生非线性电学现象。如图所示，样品2和3在电流密度为10-100mA的区域内出现了非线性电学现象，样品4的非线性电学现象十分微弱。

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