氧化钨陶瓷传质过程

氧化钨陶瓷材料中发生的每一种传质现象和反应过程均与氧化钨晶格中的各种缺陷相关，而且传质系数或反应速率常数直接与原子缺陷的种类和浓度有关，固相中的原子缺陷越多，其相应的传质能力就越大。

真空烧结时，材料中的氧空位浓度要比空气和氧气气氛烧结时的浓度要大得多，但是其晶粒尺寸和相对密度却比较小。这可能与的传质路径有关。相关研究表明：氧化钨陶瓷材料烧结初期机理为蒸发凝聚时，材料的收缩率可以忽略；从晶界通过晶格扩散而抵达颈部的传质机理烧结过程将使还体发生收缩。

在真空中烧结的氧化钨陶瓷材料的收缩率为负值，空气中烧结的氧化钨陶瓷收缩率几乎为零。而在氧气气氛中烧结和热处理的氧化钨陶瓷材料收缩率分别为1.2%和3.2%。因此，我们认为在真空和空气中烧结时，氧化钨陶瓷材料的传质路径以蒸发凝聚为主。而在氧气气氛中烧结和热处理的氧化钨陶瓷材料的传质路径，是以从晶界通过晶格扩散而抵达颈部的传质机理为主。真空烧结时，大部分W、O没有到达颈部，而是由于处于真空状态，逃离了固体材料，导致烧结过程中晶粒生长缓慢，致密度下降。在空气中烧结的样品，、和大部分到达颈部，使得其晶粒生长明显好于真空烧结。

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