氧化钨传感器金属活化

在氧化钨传感器中加入金属元素可以显著改善其传感器响应特性，降低传感器工作温度。铁、钛等金属催化剂可以增加氧化钨传感器的表面反应位点，而银、铂等贵金属元素催化剂不仅可以提供表面活动位点，而且可以通过掺杂改变氧化钨传感器导带电子浓度，进而改善氧化钨传感器特性。

银可以改善氧化钨传感器对于二氧化氮的响应特性，降低其工作温度。通过胶体化学法将银掺进氧化钨，发现在150℃时，掺杂质量分数1%银的氧化钨气敏层对二氧化氮显示出高灵敏度，并且对硫化氢、乙醇、氨气、丙酮等气体具有较好选择性。但是150℃还是存在传感器加热问题。

通过在多孔硅上合成含有银的氧化钨纳米线，得到在室温条件下对二氧化氮响应的传感器。实验发现溅射1nm的厚银的气敏性能最好，在室温下检测二氧化氮时，灵敏度为3.357，且对氨气、酒精等气体显示出了很好的选择性能。

钯作为另一种贵金属，它的掺杂也可以降低检测温度。通过将钯和氧化钨简单复合的方式来降低传感器工作温度，他们通过将钯层、氧化钨纳米层以及电极层合成的方式制备了在80℃下检测氢气的传感器。通过改变电极类型、钯层厚度以及氧化钨层厚度影响传感器性能，得到最优的2.5nm钯和11.2nm氧化钨，在80℃下，该传感器灵敏度为4.77，响应时间小于1s，恢复时间为47s。

• < 上页
• 下页 >