紫外光对氧化钨气敏性能的影响
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2018年3月12日 星期一 08:55
- 作者:Lyn
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近年来,研究者们发现紫外光和可见光可为氧化钨气敏材料的表面化学反应提供能量,从而加快化学反应速率,进而改善其气敏性能。研究发现,紫外光影响氧化钨气气敏性能主要通过两个方面:
(1)紫外光照射会导致氧化钨气敏层表面的目标气体解离,并使氧化钨气敏材料表面的化学吸附位置增加。
(2)紫外光照射会使氧化钨气表面电子空穴对增加,从而增加载流子的数量,改善气敏性能。测试了在紫外光照射下,氧化钨气敏传感器对二氧化氮的室温气敏性能。其灵敏度为15.4,响应时间和恢复时间分别为2.5s和18.1s。
发现传感器灵敏度和紫外光功率密度存在关系,结果表明氧化钨气敏元件在适当的紫外光照射条件下对二氧化氮的气敏性能和在高温条件下相当。氧化钨在室温条件下也可以用可见光激发,相较紫外光而言,可见光功耗更小,来源也更为广泛。使用丝网印刷的方法能够制备氧化钨气敏传感器,研究哦了在室温条件下不同波长的可见光对其气敏性能的影响。结果表明在蓝色光源照射下氧化钨气敏性能最好,灵敏度为2.9,响应、恢复时间分别为14.9分钟和18.3分钟,该结果与加热到200~300℃的传感器性能相当。
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