CVD法制氧化钨异质结

制备氧化钨异质结最常用的方法就是化学气相沉积法(CVD)。CVD 法的基本原理是在氧化钨基底上生长一种二维晶体，然后在此基础上生长不同的二维材料，从而形成二维异质结构。其主要的操作流程是将反应物以气体的形式通入反应容器中，之后发生化学反应后以固体的形式沉积在基底上。

CVD法是半导体工业中应用最为广泛的、用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。其原理为两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内。之后两者相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。CVD 法不仅可以实现对氧化钨异质结中堆叠取向的控制，而且还可以修饰单分子层的原子组成。

氧化钨异质结是两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。通常形成氧化钨异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造氧化钨异质结。氧化钨异质结常具有普通氧化钨不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。

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