氧化钨电极电化学性能

为了研究氧化钨电极材料的电化学性能，首先在室温条件下测试了氧化钨电极材料在恒定电流密度 100 mA下的充放电曲线，测试电压范围为 0.005-3.0 V。在第一次循环充放电过程中，氧化钨电极的放电容量为1811mA，充电容量为 1168 mA，库伦效率为 64.5％。

首次充放电的库伦效率比较低主要与固体电解质界面膜的形成以及电解液的分解有关，这与绝大部分伏安曲线研究的结果一致；在第 10 圈循环中，放电容量为 1146mA，充电容量为1115 mA，库伦效率高达 97.3%：在之后的第 20 圈、第 30 圈循环中，库伦效率保持在 95%以上，这一数值要远远高于早期已经报道过的氧化钨负极材料，说明氧化钨电极材料既具有较高的库伦效率同时还能保持较好的循环稳定性。而且，氧化钨电极负极材料的可逆容量要比氧化钨正极材料的理论容量更高，说明氧化钨电极具有优异的储锂性能。

在氧化钨前三圈的伏安曲线图中可以观察到，在第一圈的循环中，在电压为 0.3 V 处可观察到一个很弱的峰，这是由于SEI膜的形成。在之后的循环中，伏安特性曲线几乎是重合的，说明在不可逆的电化学过程中氧化钨材料有很好的结构稳定性。为了对比氧化钨电极材料的电化学性能，在相同条件下测试了氧化钨材料的伏安曲线，注意到氧化钨电极材料在 0.35V 和 0.80V 处有两个氧化峰，这是氧化钨电极在插锂和脱锂时形成的。对于氧化钨电极材料，在电压为 0.3V 处的峰强度很弱，说明在包覆了碳材料之后能有效地阻止SEI膜的形成，由此获得更高的库伦效率。

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