三氧化钨晶体结构

理想的三氧化钨晶体是一种严格按照化学计量比的无色透明绝缘体。其化学式为Re O₃。如图中所示可以看出三氧化钨的晶体结构。理想状态下的三氧化钨的分子量为 231.85。其理想密度为7.16g/cm³，熔点为 1473 摄氏度，沸点为 1750 摄氏度，禁带宽度为 2.9eV。在低温时三氧化钨的化学性质将处于相对稳定的状态。

但是在三氧化钨实际的工作和生产过程中，由于三氧化钨晶体结构中氧原子的缺陷或者三氧化钨晶体结构的变形，将会使得三氧化钨的化学式变为三氧化钨-x。从而导致三氧化钨晶体结构并不是正八面体，而是有着一定程度的扭曲现象。

近年来合成三氧化钨的方法有很多种，其中磁控溅射法是一种广泛使用的制备方法。通过磁控溅射法所制备的三氧化钨薄膜附着力比较好、膜厚均匀易控制、晶体结构稳定。既便于实验研究，也易于大规模的工业生产。这些优点促使磁控溅射法成为相对理想的制备三氧化钨的方法。通过射频磁控溅射法制备三氧化钨，可以研究了氩氧的比值、溅射功率和反应压强对电致变色性能的影响。

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