氧化钨电子跃迁

氧化钨结构内部的导带为占据电子态。它的禁带宽度小。如果氧化钨在适当的能量（如热能、光能、电能）激发下，其价电子可以获取到能量并被激发到导带中。同时因为氧化钨的电子跃迁而产生电流，导致三氧化钨的价带中将停留着带正电荷的空穴。氧化钨的这种特性在光电器件、传感器、光催化、染料敏化太阳能电池等方面起着非凡的作用。

根据氧化钨电子跃迁的类型，可将其分为直接带隙半导体和间接带隙半导体。当氧化钨电子从价带顶转移至导带底时，只需要大于禁带宽度的能量，便可转移的半导体称为直接带隙半导体。它这种特性使得电子产生竖直跃迁，且无需牺牲动量，所以也无需声子参与。相反的是，如果电子从导带回到价带产生复合，则是直接复合。

这种直接复合的能量几乎都以光能的形式释放出来，而没有释放或牺牲声子。所以它很适合用于制备发光材料。当氧化钨电子从价带顶转移至导带底时，除了需要大于禁带宽度的能量转移外，还需要一定的动量转移的半导体，则称之为间接带隙半导体。这种特性使得电子发生非竖直跃迁，电子需要动量转移。如果动量转移的幅度极大，则其可能以声子形式出现，最后转化为热能。当电子从导带转移到价带时将产生间接复合，需要一定的动量转移才能产生复合。所以晶体中的电子将会需要声子参与，因此难以产生光子。

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