氧化钨光催化剂的缺陷

氧化钨由于原料来源广泛、价格低、绿色无污染以及光学特性稳定等特点被认为是最有希望的光催化剂之一。而氧化钨光催化剂已在清除污染水和大气污染物的实验中得到了成功应用。此外氧化钨在其它的一些领域中也得到了广泛的应用，如光催化分解水、光伏设备、一氧化碳氧化、二氧化碳光还原、光电化学电池、 光催化降解染料、光致发光材料、电致发光材料、气敏材料、锂电材料等.

虽然氧化钨有着广泛的应用，但氧化钨在光催化方面还存在一些缺陷。它的缺陷主要是由于氧化钨光催化剂的导带位置较低。这使得它具有较高氧化能力的价带所产生的光生空穴，在光氧化过程中受到了抑制作用。其次对于氧化钨光催化剂在光电化学方面的应用，因为其 2.6-2.7eV的禁带宽度限制了光电转换效率，所以氧化钨光催化剂只能利用太阳能的4-6 %的光。

由于三氧化钨本体内光生电荷复合机率高，致使其量子产率较低，这也是制约其实际应用的一个因素。所以，需要对氧化钨光催化剂进行改性以提高其光催化性能。然而目前尚无一种方法能够一次性的解决这些问题，这是因为很多因素是相互矛盾的。比如对于宽带隙的半导体光催化剂来说，虽然利用的光谱范围较小，但是却具有很强的光还原氧化能力。而对于带隙较小的半导体光催化剂而言，虽然其可利用的光大大提高，但禁带宽度的变小意味着其具有较低的光氧化还原能力。此外氧化钨本身还具有独特的物化性能。如不同温度下氧化钨会呈现出不同的晶体结构，而不同的晶体结构具有不同的物理化学性质。

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