氧化钨非化学计量比结构形成原理

氧化钨作为钨的一种中间氧化物不同于具有经典化学计量比结构的化合物，其组成偏离整比性并具有点缺陷的现象，在现代材料学与固体化学中的应用有着十分重要的地位，而非化学计量比化合物（化合物中化学成分与晶体结构中不同原子所占据的比例不相符合）又是以氧化钨为例的固体化学核心之一，直接决定着氧化钨的光、电、热、声、磁学性质。所以探究氧化钨非化学计量比结构的形成原理是十分有必要的。

点缺陷（结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列的一种缺陷）是形成氧化钨非化学计量比结构的重要原因，而在点缺陷的分类中有着三种主要的缺陷：第一种是离子或原子的缺陷，即氧化钨形成过程中某一成分离子或原子的过量（不足），导致多余的离子或原子占据了氧化钨晶格的正常位置（或造成空位形成缺陷）；第二种是杂质离子的部分取代缺陷，即当氧化钨成分中存在离子结构相似、半径较小与电负性相近的物质时，会在两者间发生取代效应；第三种是填隙缺陷，也就是在氧化钨晶体的间隙中随机地填入体积较小的原子或离子，使得物质本身结构发生一定改变。而这三种点缺陷并非孤立存在而是相互交融、相互渗透、相互联系的。

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