紫色氧化钨，是钨氧化物中较为经典的一种缺陷态氧化钨，其化学式为WO2.72，因有较为独特的分子结构，而具有极为优异的光学性质与化学性质，适合应用于新一代的隔热农膜中。

钨合金凭借着优异的物理化学性能，广泛应用于电子、光子工业、航空航天、军事国防、医疗、农业等领域。但是由于传统的制粉工艺（如机械混合法）制备出的合金粉末分布不均匀，颗粒粗大无法到达纳米级。因此，本文将为大家介绍一种以纳米氧化钨为钨源，并采用液液掺杂法制备的纳米氧化锆掺杂氧化钨材料，其粉末分布较为均匀，粒度为纳米级。

二硫化钨（WS2）纳米片是一种具有间接带隙的半导体材料，其因有类似于石墨烯的层状结构而具备特殊的光、电、热等性能。此外，WS2作为固体润滑剂还具有优异的减摩和耐磨等性能。目前制备WS2纳米片的方法有射频溅射法，范本法和水热合成法。不过，这些生产方法对设备的要求高、工艺复杂、成本昂贵、不利于器件的开发和应用。因此，非常有必要寻找一种设备要求低、工艺简单、成本廉价且具有高效重复性的生产方法。

单层WS2纳米片通常在层间进行p型掺杂，以替代层中的S原子，进而产生所需的电荷载流子。将磁性过渡金属元素掺杂在非磁性纳米材料中可以使电荷载流子具有铁磁性，掺杂后的复合材料可以产生弱化的磁性，制备出稀磁半导体（DMC），实现自旋电子对磁性的控制。因此，我们这里主要讨论过渡金属掺杂的WS2基材料。