WS2纳米材料的IF-WS2和NT-WS2形态及其制备

WG电极的前三个循环的CV曲线和WG复合物的前三个电致伸缩充电-放电曲线图片

WS2纳米材料的形式包括纳米片、IF-WS2和NT-WS2,以及其他。化学气固反应是合成IF-WS2纳米粒子和纳米管的最著名和成熟的方法。Tenne等人最初使用WO3薄膜和H2S在850℃的还原气氛(95% N2+5% H2)中合成了IF-WS2纳米颗粒和纳米管。但这种方法只能合成少量的产品。

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二硫化钨纳米材料常见形式:纳米片

在玻璃碳电极上记录的WS2-RGO混合纳米片的极化曲线和相应的Tafel图片

纳米片是二硫化钨纳米材料最常见的形式,主要的可控合成策略可以分为两类:自上而下和自下而上法。自上而下法可以以较低的成本生产少量或单层的样品,这对基础研究非常有利。在自上而下法中,通过Scotch胶带进行机械剥离是最简单的方法,通过Scotch胶带剥离的WS2只有几层或单层。

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什么是钨树脂?

钨树脂图片

作为一种典型的新型钨制品,钨树脂是由高纯度钨粉末和各种树脂材料按照不同比例组合成的一种合成树脂产品,是过渡金属与有机化合物共同组合成的一种灰黑色材料,英文名为Tungsten resin。一般来说,常用的树脂材料包括丁腈橡胶,氯化聚乙烯,聚丙烯,聚丁烯,聚氨酯,热塑性材料等。

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WS2纳米材料的可控合成

WS2纳米片和纳米簇的偏振曲线和Tafel图片

1T-WS2结构和2H-WS2结构的WS2纳米材料的可控合成很重要。1T-WS2结构由于增加了催化活性位点的密度和金属导电性,被认为是一种高效的氢气演化的助催化剂,而2H-WS2结构可以作为可见光敏剂使用。因此,WS2的晶相调节的各种合成方法备受关注。由于从1T-WS2到稳定的2H-WS2的转化可以通过退火轻易实现,因此研究实现相反转化的可行方法受到了广泛关注。

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二硫化钨纳米材料的电子特性和HER机理

具有不同形态的WS2样品的形成过程示意图

由于二硫化钨纳米材料在能量转换和存储领域具有广阔的应用前景,人们致力于研究和改善其WS2的电子特性和HER机理,如载流子浓度(p)、迁移率(μ)和电阻率(ρ)。根据理论预测,在半导体TMDCs中,由于有效质量降低,WS2具有最高的电子迁移率。

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