WS2纳米材料的IF-WS2和NT-WS2形态及其制备
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- 发布于 2022年8月27日 星期六 21:38
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WS2纳米材料的形式包括纳米片、IF-WS2和NT-WS2,以及其他。化学气固反应是合成IF-WS2纳米粒子和纳米管的最著名和成熟的方法。Tenne等人最初使用WO3薄膜和H2S在850℃的还原气氛(95% N2+5% H2)中合成了IF-WS2纳米颗粒和纳米管。但这种方法只能合成少量的产品。
二硫化钨纳米材料常见形式:纳米片
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- 发布于 2022年8月25日 星期四 16:47
- 作者:Caodan
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纳米片是二硫化钨纳米材料最常见的形式,主要的可控合成策略可以分为两类:自上而下和自下而上法。自上而下法可以以较低的成本生产少量或单层的样品,这对基础研究非常有利。在自上而下法中,通过Scotch胶带进行机械剥离是最简单的方法,通过Scotch胶带剥离的WS2只有几层或单层。
WS2纳米材料的可控合成
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2022年8月25日 星期四 16:44
- 作者:Caodan
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1T-WS2结构和2H-WS2结构的WS2纳米材料的可控合成很重要。1T-WS2结构由于增加了催化活性位点的密度和金属导电性,被认为是一种高效的氢气演化的助催化剂,而2H-WS2结构可以作为可见光敏剂使用。因此,WS2的晶相调节的各种合成方法备受关注。由于从1T-WS2到稳定的2H-WS2的转化可以通过退火轻易实现,因此研究实现相反转化的可行方法受到了广泛关注。
二硫化钨纳米材料的电子特性和HER机理
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- 发布于 2022年8月23日 星期二 21:02
- 作者:Caodan
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由于二硫化钨纳米材料在能量转换和存储领域具有广阔的应用前景,人们致力于研究和改善其WS2的电子特性和HER机理,如载流子浓度(p)、迁移率(μ)和电阻率(ρ)。根据理论预测,在半导体TMDCs中,由于有效质量降低,WS2具有最高的电子迁移率。