二碲化钨（WTe2）是具有层状结构的过渡金属硫族化合物，具有良好的超导电性、热电性能和巨磁阻效应，广泛应用于在存储器、电容器和传感器等产品中。但是，目前所制备的WTe2产品基本上是二维结构，很少有一维结构的纳米线。因此，专利号为CN109267036B的研究者提供了一种二碲化钨纳米线的生产方法，具体步骤如下：

研究人员通过水热法合成了氧化钛纳米管（Titanium oxide nanotubes, TNT），并在其表面共价接枝了钨酸（离子交换基）。合成的钨酸功能化TNT（W-TNT）通过SEM、TEM、XRD分析表征了纳米管的形态，并通过FTIR和固态核磁共振技术确认是否成功接枝。

在各种二维材料中，氧化钛纳米管（TiO2纳米管）是稳定和环保的，其电子、光学和介电性能可以通过表面改性来调整。研究人员利用钨酸与氧化钛纳米管（W-TNT）共价键合，首次作为离子交换填料用于制造质子交换复合膜。钨酸基（H2WO4）含有类似磺酸基（SO3H）的可交换质子，也可以作为离子交换器。

二硅化钼电热元件是一种以二硅化钼（MoSi2）为基础的发热元件，具有耐高温、抗腐蚀、气密性好、耐热冲击、使用寿命长等优良特性，可以用作陶瓷、玻璃、冶金、磁性材料、耐火材料等工业高温炉的加热元件。