就下一代的芯片来说，其内部扩散阻挡层之所以用稀有金属钨靶材来生产的主要原因是，相对于传统的靶材而言钨靶材具有更优异的物理性能，如较高的熔点，较强的抗高温能力，较大的电子发射系数以及良好的化学稳定性等。换句话来说，用钨靶材制作的扩散阻挡层能使所制备的集成电路芯片拥有更长的使用寿命，进而减小用户更换新产品的概率。

目前，按照电池的封装方式和形状，可以分为方形、圆柱、软包等形式。软包锂电池的基本结构与圆柱和方形是类似的，只是软包锂电池是液态锂离子电池套上一层聚合物外壳，在结构上采用铝塑膜包装，是起到保护内部电芯材料的作用。

高纯钨靶材是典型过渡金属钨的一种化工产品，其因纯度高（大于99.95%），密度大（19.35g/cm3），蒸气压低，蒸发速度小，耐高温性能好等特点，常用来生产厚度超小的氧化钨薄膜。就目前火热的半导体芯片来说，新型氧化钨薄膜能很好的作为它的扩散阻挡层、粘结层和大型集成电路存储器电极等，进而能显著升高芯片产品的综合质量。

钨青铜及类钨青铜结构中存在大量的信道，能为锂离子的储存提供了足够的空间；而过渡金属元素的存在也提供了大量的氧化还原反应的转移电子数，使得此类材料具有较高的理论容量，适合作为锂离子电池负极材料。接下来，本文将为大家提供的是一种具有多通道的Mo5O14型四方钨青铜结构材料新的生产方法。其具体步骤如下：