三氧化钨和钨酸钡的电输运 Ⅱ

在高压下BaWO4的电输运性质研究中，为了获得更精确的数据，用绝缘垫片技术，防止在实验中引入附加阻抗的误差。利用在DAC表面集成的微电路，测量BaWO4的高压原位阻抗谱，研究了晶粒和晶界效应，可得其压致弛豫现象和激活能。对粉末多晶样品BaWO4来说，两个阻抗半圆弧融合在一起，电阻较大时，导线的电感对样品阻抗的影响较小，无需修正数据。然而，并不是所有的实验中都能测量出清晰的半圆弧，有些阻抗谱也会在高频区展现出不完整的半圆弧，而在低频区展现被压缩的半圆弧。经过测量技术改进，可以清楚的在高频区和低频区看到半圆弧。

 
DAC高压产生装置示意图

晶粒电阻和晶界电阻可以通过半圆进行拟合，其截距代表电阻的大小。晶界电阻随着压力的变化不同于压致晶粒电阻的变化。事实上，大部分在高压下电学参数的异常都是由压致结构相变引起的。晶粒电阻和晶界电阻随着压力的不连续变化表示电输运性质的变化，反映了压致结构相变。

在相变过程中，弗伦克尔和肖特基缺陷的种类增多，这是由于相变过程中焓值波动导致的原子热激发引起的。从6.9到8.9GPa，晶粒弛豫频率有一个增加的趋势，这种趋势与先前弛豫峰的移动方向是一致的。这是由于非同相结构内部的晶粒弛豫频率不同引起的。因为在这一压力区间内，有白钨矿，褐钇铌矿和BaWO4-II相三种结构出现，与白钨矿相相比，褐钇铌矿和BaWO4-II相有更短的弛豫时间。

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