选用氧化镧（La3O2）、氧化锡（SnO2）以及氧化铜（CuO）金属氧化物掺杂三氧化钨（WO3）陶瓷，分析这三种掺杂WO3陶瓷微观结构的影响。低浓度La3O2掺杂明显促进了WO3晶粒的生长，，掺杂后晶粒的尺寸都变大了，但是当掺杂的浓度继续上升时，晶粒尺寸开始变小，晶粒生长又被抑制了；SnO2的掺杂抑制了晶粒的生长，使晶粒的尺寸明显小于未掺杂WO3陶瓷，而且随着浓度增加逐渐变得更小；而CuO却促进了晶粒的生长，而且随着浓度增长而变大。La3O2与SnO2的掺杂使得WO3陶瓷的孔隙率变小并且随着掺杂浓度增加更变小，而CuO的孔隙率在掺杂浓度为1.0mol%左右到达小。随着掺杂浓度的增加，掺杂La3O2与CuO会存在同一种现象，即掺杂浓度大于溶解度都会出现第二相，分别为La2WO6、CuWO4，第二相都是由掺杂物与WO3发生反应生成的，这点与铁系金属氧化物类似；而掺杂SnO2出现的第二相为SnO2，这点与铁系金属氧化物、氧化镧以及氧化铜都不同，比较特别。

 

掺杂La3O2、SnO2及CuO对WO3陶瓷电导率的到影响。掺杂La3O2和CuO明显增加WO3陶瓷的电导率，随着掺杂浓度的增加，电导率上升至最大数值后开始下降，La3O2与CuO掺杂浓度分别为0.5mol%与5.0mol%时，WO3陶瓷具有最大电导率，电导率出现下降是因为掺杂浓度上升在WO3陶瓷晶界上产生第二相，使得晶界间的流动性降低，同时也使得晶粒间的空隙附着于晶界附近，导致电导率下降。而掺杂SnO2的WO3陶瓷虽然也会因为掺杂浓度增加在晶界间出现第二相即SnO2，但是SnO2具有更好的电导率，所以WO3陶瓷的电导率会继续上升，浓度为10.0mol%时出现最大电导率。而且三者的电导率都会随着环境温度的上升而增加。