改进的钨插销结构的工艺流程

本发明提供一种改进的钨插销结构的工艺流程。传统的钨插销工艺是随着集成电路工艺特征线宽缩小的要求而发展起来的，主要解决铝物理气相沉积而产生的现象。步骤如下：

1）采用物理气相沉积的方法淀积钨和其化合物作为扩散阻挡层；

2）经退火后，仅用氢气还原六氟化钨的化学气相沉积方法填充接触孔（CONTACT）和对接孔（VIA），形成钨插销（PLUG）结构。

该技术从而简化了流程，提高了生产率，降低了费用，提高了安全性，具有填充效果好、集成度高的特点。但是，该技术同时存在工艺复杂、价格昂贵、生产效率低和控制困难的问题，其中较为突出的是在钛和氮化钛淀积、钨的化学气相沉积方法中需要多步进行而导致的问题。

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