钽掺杂WO3薄膜

相对于三氧化钨薄膜,钽掺杂WO3薄膜的着色效率有所提高,即薄膜的电致变色性能改善了,其中,钽掺杂量的临界值为15%,过度的掺杂则不利于薄膜呈现出高的电致变色效率。

钽掺杂WO3薄膜图片

着色效率是表征电致变色性能很重要的一个参数。着色效率是指在某一波长下,单位面积电致变色材料注入单位电荷后所引起的光密度变化,单位为cm2/C,其计算公式为

η=ΔVOD/Q=log(Tb/TC)/Q

式中Q为注入的电荷密度,单位为C/cm2,Tb和TC分别为退色态和着色态薄膜的透射率。通过上式计算得到W1-xTaxO3薄膜样品在可见光范围内的着色效率η如下图所示。

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钽掺杂WO3薄膜样品的着色效率图片

从上图可以看出,当Ta掺杂量为5%和10%时,氧化钨薄膜的着色效率较未掺杂的薄膜有了较大的提高,当Ta掺杂量为15%时薄膜的着色效率与未掺杂的WO3薄膜相当。但当继续增大掺杂量时,钽掺杂WO3薄膜的着色效率明显下降,如图中样品E(Ta掺杂为25%的WO3薄膜)和样品F(Ta掺杂为35%的WO3薄膜)所示,其着色效率只有10cm2/C和5cm2/C左右。由此可见,适量的Ta掺杂有利于提高WO3薄膜的着色效率,这个掺杂量的临界值为15%。

 

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