微带对各向异性蓝宝石衬底的准静态特性

 
 

该明确定义的和单晶蓝宝石的可重复的电性能,使其对于微带一个有吸引力的衬底材料,但是它的介电各向异性是单晶蓝宝石一项重要的设计复杂化,对蓝宝石基板单微带线切断与一个指定的方向准静态特性。考虑到各向异性,一个新的介电常数参数epsilonreq被引入,这是Iinewidth的函数到基板高度的比W / H 。 epsilonreq与W / H的变化是由有限差分方法得出。万向曲线微带上正确地定向蓝宝石呈现,表示1) epsilonreq ,2)低频极限的有效介电常数微带epsilone0 ,线Z 0 ,所有3个)的特性阻抗为W / H功能。

建立了一种硅薄膜的SiH4对单晶蓝宝石的热分解沉积发展。电子衍射和薄膜的劳厄反射检查显示了单晶图案。硅膜具有135 cm2/volt-second霍尔迁移率在1017/cm3的孔密度。绝缘栅场效应晶体管具有1000 μmho在5毫安一个跨导为10 μ的源 - 漏间隔为120 μ的活性距离的尺寸而进行。此值可媲美作出体硅类似的单位,是非常令人鼓舞的薄膜硅设备的可能性。


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