三组氮化物基化合物半导体激光二极管的第二种具体实施

与Ⅲ族氮化物化合物半导体激光元件由此形成层在蓝宝石基板浸渍在保持在60℃，一个盐酸基腐蚀剂然后将基材在超声波清洁器装入约10分钟，以便进行中间氧化锌层的选择性蚀刻。作为一个结果，中间氧化锌层除去，形成蓝宝石基片和Si掺杂的n型GaAlN层（n层），它是将半导体激光元件层的最底部部分之间的间隙的网格图案。

在接下来的步骤中，锋利的刀片正上方每个间隙被压缩到氧化硅层沿着线CC，由此三个子层组成的半导体激光元件层被切割的顶面。切割所得到的端面最终将作为一个激光谐振腔的反射镜表面。


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