EFG蓝宝石色带异质外延硅衬底的生产

色带异质外延硅衬底的生产方法被描述为蓝宝石晶体的带状几何形状的边缘限定薄膜供给生长（ EFG）技术的发展。色带状晶体生长以用作异质外延硅衬底。的装置中，生长过程中，和所生长的带状的特征进行了描述。三带75毫米的宽度，同时增加。增长率为152和204毫米/小时之间。丝带的高百分比是免费的非取向晶粒的。在主缺陷的特点是“片”微空隙通常5-25微米的直径，和“分布式”微孔的直径通常为0.5-2微米。无显著差异在制作中的异质外延硅沉积在EFG和直拉生长的衬底设备观察。

氮化镓上使用开放管生长炉蓝宝石衬底上的外延生长已进行了研究后的层的属性衬底取向和输送气体的影响。已经发现，对于（0001 ）衬底，表面外观几乎是独立的掺杂水平的载气和的。对于（ 1 ¯ 102 ），而不是氢时，他是作为输送气体基材表面网格大大降低。当在GaN中掺杂有Zn和为（1 ¯ 102）衬底中Zn掺杂运行使用He作为传输气体所获得的最好的表面刻面也减少了。在电性能为（1 ¯ 102）衬底方面是最好的样品具有流动性大于400平方厘米​​Ⅴ-1秒-1和大约2× 1017厘米-3载流子浓度。该样本是未掺杂和使用他作为传输气体。最好的（0001）的样品也生长未掺杂与He作为输送气体，并且具有300cm2V -1秒-1下的流动性和在1× 18 cm -3以上载流子浓度。


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