真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年8月06日 星期二 10:25
- 作者:Elva
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本发明提供一种真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法。具体步骤如下:
1)清洗基片;
2)将三氧化钨粉末或粉末压片放入电子束蒸发器真空室的坩埚中,将铂丝放在电阻式加热源上,并将清洁的基片固定在样品架上;
3)用电子束加热使三氧化 钨升华并沉积在基片上。真空镀膜机真空室压力为10-2~10-3Pa,真空室温度约200-300℃,电子束流0.1-0.2mA;
4)通过电阻加热蒸镀一层铂催化层。真空室压力5-6.5×10-3Pa,真空室温度为200- 300℃,阻蒸电流在120-245A之间。
本发明具有成本低,方法简单,薄膜质量好,均匀,变色响时间短等优点。
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