金属氧化物半导体 (MOS) 材料因其广泛的可用性和对低 ppm 浓度气体的高灵敏度而被广泛应用于气体传感和环境保护。三氧化钨 (WO3) 是一种 n 型半导体材料，对有毒气体具有良好的传感响应 由于其独特的特性，例如在吸收波长 480 nm 处的宽带隙 (2.6–3.2 eV)，已成为一种广泛研究的材料。与其他无机半导体氧化物相比，WO3 材料有其局限性，如工作温度高（200-400°C）、低选择性和高功耗。最近，通过将纳米金属氧化物半导体（n 型）材料与导电聚合物（p 型）混合制备的混合纳米复合材料在室温下表现出优异的气敏响应。

随着全球能源需求的增加，氢燃料可以在未来的可持续能源系统中发挥关键作用。此外，迫切需要一种环境友好的能源来替代当前的化石燃料能源系统。在可用的能源中，与传统的化石燃料相比，氢具有非常高的能量密度，因此成为化石燃料的理想替代品之一。

钨 (W) 合金广泛应用于许多工程应用，包括辐射屏蔽、配重平衡、电触点、阻尼装置和动能穿透器。广泛的应用得益于其高熔点、良好的热稳定性、高强度和高辐射吸收能力。然而，钨合金具有低温脆性和再结晶过程中出乎意料的生长特性。