三氧化钨 (WO3) 是一种 N 型半导体材料，已被广泛研究用于传感器、电致变色、光催化剂和能量存储设备。已采用简单且低成本的微波辅助方法来制备复合材料。

室温下的气体传感引起了很多研究兴趣，尤其是 MOX、CNT 和石墨烯的组合，但它通常存在响应时间慢、基线稳定性差和湿度依赖性大的问题。二氧化氮 (NO2) 气体传感器已被开发和商业化，常见类型包括金属氧化物半导体和固体电解质。在金属氧化物半导体中，三氧化钨（WO3）基半导体因其结构简单、灵敏度高、成本低以及在极端条件下具有潜在的耐久性而受到特别关注。因此用于低氧环境二氧化氮检测的超灵敏氧化钨气体传感器被成功制备， 该传感器不仅对 NO2 具有高灵敏度（3.4%/ppb 对比商业传感器的 0.2%/ppb）而且仍能可靠运行在较低的氧气水平（低至 0.5%）。准备过程如下：

高性能气体传感器因其在污染物检测、医学诊断、化学监测、食品加工等领域的广泛应用而受到越来越多的关注。氧化钨（WOx）由于其高灵敏度和稳定性，特别是对硫化氢（H2S）气体的高灵敏度和稳定性，作为一种有前途的传感材料受到了相当多的关注。各种 WO3 纳米结构，如纳米颗粒、纳米晶须、纳米棒和纳米线显示出对不同气体的增强传感特性。