据储能科学家介绍，钨靶材因有杂质含量低、熔化温度高、结晶性好、高温稳定性能强以及电子逸出功小的特点，而有望成为新一代集成电路栅电极的最佳生产原料。与以前的栅电极如SiO2相比，钨靶材栅电极拥有更不容易出现漏电流的情况，进而能使最终所制备的集成电路的可靠度更高。

高纯钨靶材是典型过渡金属钨的一种化工产品，其因纯度高（大于99.95%），密度大（19.35g/cm3），蒸气压低，蒸发速度小，耐高温性能好等特点，常用来生产厚度超小的氧化钨薄膜。就目前火热的半导体芯片来说，新型氧化钨薄膜能很好的作为它的扩散阻挡层、粘结层和大型集成电路存储器电极等，进而能显著升高芯片产品的综合质量。

就下一代的芯片来说，其内部扩散阻挡层之所以用稀有金属钨靶材来生产的主要原因是，相对于传统的靶材而言钨靶材具有更优异的物理性能，如较高的熔点，较强的抗高温能力，较大的电子发射系数以及良好的化学稳定性等。换句话来说，用钨靶材制作的扩散阻挡层能使所制备的集成电路芯片拥有更长的使用寿命，进而减小用户更换新产品的概率。

目前，按照电池的封装方式和形状，可以分为方形、圆柱、软包等形式。软包锂电池的基本结构与圆柱和方形是类似的，只是软包锂电池是液态锂离子电池套上一层聚合物外壳，在结构上采用铝塑膜包装，是起到保护内部电芯材料的作用。