芯片用钨钛合金靶材

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新型半导体芯片之所以要选用钨钛合金靶材来作为扩散阻挡层和粘结层的主要原因是,该合金具有较好的表面附着能力以及优异的散热性能等特点。这样一来,将能使所制备的产品拥有更高的综合性能。

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单晶氧化钨的制备方法

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目前,制备氧化钨的方法有很多种,如固相法、化学沉积法、溶胶凝胶法、微乳液法、水热合成法等,采用不同的方法可制备出不同结构的氧化钨粒子,例如四方晶系、六方晶系、单斜晶系、正交晶系等。然而,这些产品均存在一定的不足,比如吸附性较差、染料废水处理效果不明显等。因此,下面将为大家介绍一种大比表面积、六方相、单晶氧化钨的制备方法。

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农膜含氧空位氧化钨

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与商用的地模相比,含有氧空位氧化钨的农膜的耐老化性能更好,这主要是因为该钨氧化物对太阳光中的近红外线和紫外线都具有较好的吸收性能。

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氧化钨粉体比表面积的表征方法

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比表面积是评价粉体材料性能的一项重要指针,而且需要通过仪器进行准确测量。对于硬质合金原料粉体,例如氧化钨粉、钨粉、碳化钨粉而言,通常需要分析氮吸附比表面积,以评价粉体的质量和性能。目前,使用的比表面积标准样品有几十种,如炭黑、氧化铝、二氧化钛、二氧化硅等,但是表征这些材料的比表面积的方法非常繁琐,样品的制备也非常艰难。因此,本文将为大家介绍一种氧化钨粉体比表面积标准样品的表征方法。

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农膜用缺陷态氧化钨

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新型农膜之所以用缺陷态氧化钨来作为重点的生产原材料,是因为该钨氧化物具有较强的电磁波吸收能力和较好的可见光透过性。更简单地说,与传统的农膜相比,含有氧化钨材料的农膜的使用寿命更长,保温效果更好。

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