镀金分为两类，一类呈同质材料镀金，另一类是异质材料镀金。

同质材料镀金是指对黄金首饰的表面进行镀金处理。它的意义是提高首饰的光亮性及色泽。异质材料镀金是指对非黄金材料的表面迸行镀金处理，如银镀金，铜镀金。它的意义是欲以黄金的光泽替代被镀材料的色泽，从而提高首饰的观赏效果。

另外镀金按被镀件的特性分主要有两大类:

1.金属件上镀金
2.非金属件上镀金

所以镀金废料按被镀件的特性分同样有对应的两大类:
1.金属件镀金废料
2.非金属件镀金废料
非金属镀金包含玻璃上镀金,塑料上镀金,陶瓷上描金等,因为其废料上的金很容易回收,从金属件镀金废料中回收黄金的技术问题来分.金属件镀金废料,以后称镀金废料,
金合金镀层的品位是依照镀层中的含金量进行换算，纯金以24K来表示。比如l8K金其含金量为l00g×18/24=75g。因此K金及含金量如下：
14K 含金54．2—62．5%；
16K 62．6—70．8%：
18K 70．9—79．2%：
20K 79．3—87．5%：
22K 87．6～95．9%：
24K 95．9%以上。

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电磁屏蔽是电磁兼容技术的主要措施之一。即用金属屏蔽材料将电磁干扰源封闭起来，使其外部电磁场强度低于允许值的一种措施；或用金属屏蔽材料将电磁敏感电路封闭起来，使其内部电磁场强度低于允许值的一种措施。

防止外来电磁波对要保护的相关设备的干扰！

现在我国很多大型考试，比如高考、研究生考试、公务员考试等。都有使用电磁屏蔽技术，以防止作弊行为影响考试的公正公平。

静电屏蔽

用完整的金属屏蔽体将带正电导体包围起来，在屏蔽体的内侧将感应出与带电导体等量的负电荷，外侧出现与带电导体等量的正电荷，如果将金属屏蔽体接地，则外侧的正电荷将流入大地，外侧将不会有电场存在，即带正电导体的电场被屏蔽在金属屏蔽体内。

交变电场屏蔽

为降低交变电场对敏感电路的耦合干扰电压，可以在干扰源和敏感电路之间设置导电性好的金属屏蔽体，并将金属屏蔽体接地。交变电场对敏感电路的耦合干扰电压大小取决于交变电场电压、耦合电容和金属屏蔽体接地电阻之积。只要设法使金属屏蔽体良好接地，就能使交变电场对敏感电路的耦合干扰电压变得很小。电场屏蔽以反射为主，因此屏蔽体的厚度不必过大，而以结构强度为主要考虑因素。

交变磁场屏蔽

交变磁场屏蔽有高频和低频之分。低频磁场屏蔽是利用高磁导率的材料构成低磁阻通路，使大部分磁场被集中在屏蔽体内。屏蔽体的磁导率越高，厚度越大，磁阻越小，磁场屏蔽的效果越好。当然要与设备的重量相协调。高频磁场的屏蔽是利用高电导率的材料产生涡流的反向磁场来抵消干扰磁场而实现的。

交变电磁场屏蔽

一般采用电导率高的材料作屏蔽体，并将屏蔽体接地。它是利用屏蔽体在高频磁场的作用下产生反方向的涡流磁场与原磁场抵消而削弱高频磁场的干扰，又因屏蔽体接地而实现电场屏蔽。屏蔽体的厚度不必过大，而以趋肤深度和结构强度为主要考虑因素。
电磁屏蔽测试

电磁屏蔽测试是利用屏蔽箱原理做电磁干扰测试，用屏蔽箱可以提供一个良好的测试环境，是EMI、手机测试[1]、wifi测试等无线电磁测试的必须设备。
 

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镀金层外观为金黄色，具有很高的化学稳定性，只溶于王水，不溶于其它酸。金的原子价为一价和三价。一价金的标准电位φ°Au+/Au为+1.68V，三价金的标准电位φ°Au3+/Au为+1.50V。对钢、铜、银及其合金基体而言，金镀层为阴极性镀层，镀层的孔隙影响其防护性能。
镀金层延展性好、易抛光、耐高温，具有很好的抗变色性能。在银层上镀金可以防止银的变色；金合金镀层可呈现多种色调，故常用作装饰性镀层，如镀首饰、钟表零件、艺术品等。
镀金具有较低的接触电阻、导电性能良好、易于焊接、耐腐蚀性强、并具有一定的耐磨性（指硬金），因而在精密仪器仪表、印制电路板、集成电路、管壳、电接点等方面有着广泛的应用。

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由于医疗技术日新月异，生活中辐射越来越多，已造成新的困扰， 这些射线有X射线，伽马射线，α射线，β射线等。為了保护病人以及医护人员，有必要使用钨合金设备来屏蔽这些有害辐射。

钨合金遮罩件的具体运用如下：

放射性源盛放器

伽马辐射遮罩

遮罩块

石油钻井设备

X射线瞄準仪

钨合金PET 遮罩件

癌症治疗设备遮罩

钨合金遮罩件可以很好的保护人们，避免有害辐射。与 AMS 21014 和 ASTM B777 材料标準相符,

材料化学性能    90WNiFe    90WNiCu    92.5WNiFe    95WNiFe    95WNiCu

密度 (g/cm3)    17.1    17.0    17.5    18.0    18.0

硬度(HRC)    25    25    26    27    28

极限抗拉强度 (kpsi)    120    110    115    110    100

屈服抗拉强度 (kpsi)    85    75    80    80    75

延伸率 (%)    3    10    7    5    2

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