Ti掺杂氧化钨电致变色薄膜

为了解不同氧气分压对Ti掺杂氧化钨电致变色薄膜结构性能影响,有专家采用下述方法先制备得到掺Ti的WO3薄膜。

Ti掺杂氧化钨电致变色薄膜图片

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使用钨钛合金(含钛质量分数6%)作为靶材,在FTO透明导电玻璃(方块电阻为~20Ω)基底上通过脉冲直流电源反应溅射沉积了WO3:Ti薄膜。溅射前本底真空抽至低于4.5*10-4Pa,高纯氩气(99.9%Ar)作为工作气体,高纯氧气(99.9%O2)作为反应气体,基片温度350℃,固定工作气压1.7Pa,通过改变通入O2流量7sccm、9sccm、13sccm、15sccm,沉积了不同氧气分压WO3:Ti薄膜。因为工作气压固定不变,当O2流量增大,Ar分压下降,单位时间内轰击靶材表面的Ar+数量减少,溅射出的W原子减少,导致沉积速率下降。

 

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