Li掺杂三氧化钨薄膜

较之WO3薄膜,Li掺杂三氧化钨薄膜的性能得到改善——薄膜变得致密光滑,电荷面密度增大,变色前后的光吸收差值可达53%。采用高氯酸锂掺杂之后,并没有改变整个WO3薄膜的晶化温度,仍然以220℃为最佳热处理温度,且WO3薄膜的平均厚度在270nm左右。

Li掺杂三氧化钨薄膜图片

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专家发现,所得薄膜的结构、色变响应等性能最佳时,呈现的三氧化钨前驱体的最佳配比为钨粉g:过氧化氢ml:乙酸ml:无水乙醇ml:乙二醇甲醚ml:高氯酸锂g———1:2.75:0.75:2:1:0.0875。以此最佳配比制备WO3前驱体,然后再进行相关掺杂。经最后计算,采用高氯酸锂进行掺杂的最佳掺杂量为13.7%。但是,专家在利用醋酸锂作为锂源掺杂时,发现所得最佳掺杂量仅为该值的一半左右。由此,该法制备WO3薄膜时,掺杂源的选择对掺杂量具有影响,可能是由于水解等原因造成,具体原因还需要进一步进行试验探讨后确定。

 

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