Ta掺杂氧化钨电致变色薄膜

Ta掺杂氧化钨电致变色薄膜中，Ta掺杂量的多少会影响三氧化钨薄膜光谱调制能力的好坏。氧化钨薄膜的光学调制幅度ΔT为着色态与退色态透射率的差值。

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专家表示，Ta掺杂后氧化钨薄膜的光学调制幅度略有下降，在掺杂量为5%-15%的范围内ΔT基本无变化，与未掺杂的纯WO3薄膜的光学调制幅度相当，均有40%以上。但当掺杂量继续增大到25%直至30%时，ΔT下降明显。由此可知，掺杂需控制在一定范围内，过度掺杂会影响氧化钨薄膜的光学调制性能。原因可能在于WO3相比Ta2O5具有更加优异的电致变色性能，过量Ta掺杂会导致Ta掺杂氧化钨电致变色薄膜中WO3含量的显著降低，从而对其光谱调制能力产生不利影响。

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