仿真和氮化镓晶圆弯曲的蓝宝石衬底上分析

详细资料: 分类：蓝宝石长晶炉-钨制品新闻; 发布于 2014年2月28日星期五 11:15; 点击数：2762

用MOCVD（金属有机物化学汽相淀积）来分析的氮化镓基光电器件在蓝宝石衬底上生长是在半导体照明行业的常用方法。近年来，随着外延技术和相关技术的不断提高，需要更大的蓝宝石衬底。 MOCVD反应室结构，大规模外延片的优化和完善已经研究了很多国内的研究人员。 Li等人。优化的高频加热石墨基体槽结构， 8英寸和12英寸的基板。应禄等al.studied的辐射加热的MOCVD加热调制曲线和建议外加热器的设计原则。为了提高生产效率，一些大MOCVD制造商也集中在如何改善和提高MOCVD腔和蓝宝石基板的尺寸在国外。目前，两英寸和4英寸外延片是常用的，所以厂家谁可以生产六英寸的SiC和Si衬底外延片的高品质，在国外会卖到国外芯片。

与III族氮化物的生长，蓝宝石成为最广泛使用的基体材料。蓝宝石的质量好，价格低的晶体可以很容易地得到。此外，蓝宝石是在高温下稳定并在蓝宝石氮化物的生长技术现已相当成熟。然而，晶圆弯曲的问题，这是由于GaN外延层与蓝宝石之间的热膨胀系数的差异，已经成为许多在大直径晶片的更严重。这将恶化的基板和设备阶段或分部门之间的接触过程中设备的过程中，这将导致降解在光刻设备的均匀性或失败。

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