制备Zn-WO3薄膜电极

要制备Zn-WO3薄膜电极，首先应先制取三氧化钨薄膜光电极，三氧化钨薄膜光电极是通过电沉积法制备而得的。电沉积制备的过程在温室条件下进行，将含有0.025M的钨酸钠，0.03M的双氧水（30%）和0.05M的硝酸（65%）的电解液进行电沉积，所加电压为-0.6V，沉积时间为1h，得到蓝色无定型的三氧化钨薄膜。

接着采用电沉积-浸渍法制取Zn-WO3薄膜电极，即将上述电沉积得到的无定型三氧化钨薄膜置于5M的Zn（NO3）2溶液中浸渍，浸渍时间分别为10min、20 min、30 min、40 min、50 min、60 min，样品编号分别为ZW-10、ZW-20、ZW-30、ZW-40、ZW-50、ZW-60。在空气中晾干后，将这些含有Zn的三氧化钨薄膜置于马弗炉中，此时升温速率约为2℃/min，在450℃的环境下退火处理3h，最后得到Zn-WO3薄膜电极。

经过光电化学和光电催化活性测性，发现适量的Zn修饰三氧化钨光电极，其光电流和光电催化活性与纯的三氧化钨薄膜光电极相比，均有显著提高。


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