氧化钨陶瓷氧填补过程

高的氧分压能够抑制氧化钨陶瓷的氧空位的形成，从而影响其传质速率。然而，在氧气气氛中烧结的氧化钨陶瓷拥有相对较高的致密度。氧离子的半径为0.14nm，比六价钨离子的半径要大很多。

氧离子在氧化钨陶瓷的晶格中的移动能力比六价钨离子差。因此，氧离子对烧结过程中的传质速率影响较大。一定量的氧空位浓度能够促进氧化钨陶瓷的烧结。在氧气气氛下烧结氧化钨陶瓷时，氧化钨氧空位的产生被抑制，但是并没有停止。氧化钨陶瓷氧空位的产生和氧原子填补氧空位的过程，是一个动态的平衡过程。

氧化钨晶界的氧空位形成后，氧气中的氧原子对其进行填补。这个速率比氧化钨晶格中的其他位置的氧原子通过扩散来填补要快很多。因此在氧气气氛中烧结的氧化钨陶瓷拥有相对较高的致密度。真空烧结的氧化钨陶瓷中氧空位浓度很大，若放置于氧气气氛中第二次烧结，氧气中的原子填补氧空位，能够使得晶粒生长和致密度得到提高。然而由于氧化钨晶粒的生长速率反比于氧化钨颗粒的原始半径。因此真空烧结后氧气中热处理得到的氧化钨陶瓷，其晶粒尺寸没有空气和氧气烧结得到的样品晶粒尺寸大。

• < 上页
• 下页 >