氧化钨活化难题

随着传感器技术的发展，半导体气体传感器的研究方向正向常温化、集成化、低功耗的方向发展。氧化钨因其灵敏度较高受到广大研究者的关注。研究者通过改变活化方式实现了检测温度的室温化，但氧化钨室温传感器依然存在灵敏度低、响应恢复慢、选择性和稳定性差等缺点，而这些缺陷也正是室温氧化钨气体传感器实用化面临的挑战。

目前各类活化氧化钨的方式中，采用有机物活化的气敏材料，灵敏度较高，但是反应速度等指标仍有待改善。此外，室温氧化钨材料还面临着制备成本高、重复性差等难题，需要通过开发新材料和改进制备工艺解决此类问题。

在合成氧化钨异质结构、开发新型纳米结构、有机/无机物活化、增加氧空位浓度以降低材料的带隙宽度等方面，国内已进行了卓有成效的工作。但这四个方面仍然有很多工作可以开展，例如开发更有效的p-n结、更高比表面积的等级多孔纳米结构、更有效的敏化材料和更简易实用的氧缺陷材料制备方法，以获得较好的响应恢复速度，并提高稳定性和灵敏度。这将不仅是氧化钨室温气体传感器，也是其他类型室温气体传感器未来发展的趋势。

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