氧化钨陶瓷EDS图谱

氧化钨陶瓷压敏电阻在加载电压的作用下，其漏电流随时间是一个减小的过程。这说明氧化钨压敏电阻的晶界势垒模型与氧化锌等传统压敏电阻不同。

典型的氧化锌压敏电阻在一定电压加载下，漏电流会随着加载时间变大，电能能耗增加，样品温度升高，最终热击穿。氧化锌压敏电阻老化的原因是因为在一定电压作用下，其耗尽层的填隙离子移动到晶界中和了晶界的负电子缺陷，以及晶界的氧负离子解吸附，导致晶界势垒全降低，晶界电阻减小，漏电流增加，产生焦耳热，使得晶界势垒全进一步降低。

因为氧化钨是氧空位为主的N型半导体，所以晶粒内部还有氧空位，即晶粒中氧原子的数量与钨原子的数量之比小于3。氧化钨陶瓷晶粒的表面是富氧的，即晶粒表面中氧原子的数量与钨原子的数量之比大于3。对烧结的样品的晶粒表面进行元素含量分析，证实了其晶粒表面氧原子对鹤原子的数量之比大于3。

图是不同保温温度下烧结的样品的晶粒表面点扫描EDS图谱。随着保温温度的提高，氧元素的峰值升高。在1050℃保温烧结的氧化钨陶瓷氧元素峰峰值最高。氧原子与鹤原子的含量之比均大于3。表明氧化钨陶瓷烧结过程中，晶粒表面氧富集过程发生在降温过程。

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