蓝宝石衬底缩增长方式Ⅲ族氮化物发光二极体的有机金属气相外延
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- 分类:蓝宝石长晶炉-钨制品新闻
- 发布于 2014年1月14日 星期二 13:43
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氮化镓上进行的蓝宝石衬底金属有机气相外延( MOVPE )生长,发光二极管(LED)的特性上生长图案化蓝宝石和平面衬底的设备进行了比较。该蓝宝石基板是由一种新的方法(急切),据此,铝通过两阶段退火过程中被外延地转化为结晶氧化铝制成。生长在蓝宝石衬底上的氮化镓模板是通过一个缩写生长模式,其中使用了一个15纳米厚的低温氮化镓缓冲层完成,而不外延过程中使用回蚀和恢复过程。
InGaN量子阱(量子阱)的LED生长在蓝宝石氮化镓模板上,采用缩写的增长模式。生长图案化急切蓝宝石衬底上的优化的InGaN量子阱发光二极管表现出在输出功率的24 %的改进相比,在氮化镓 LED的使用常规方法模板生长。在LED的输出功率的增加是由于LED的改进的内部量子效率。
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