三组氮化物基化合物半导体激光二极管的发明目的

详细资料: 分类：蓝宝石长晶炉-钨制品新闻; 发布于 2013年12月19日星期四 10:25; 点击数：3244

三组氮化物基化合物半导体激光二极管发明的目的是提供一种III族氮化物半导体的在一个蓝宝石衬底，其形成和其上设置有足够高的质量劈裂面，以产生一个更高的激光输出的激光元件层。

三组氮化物基化合物半导体激光二极管发明的目的可以通过一个激光二极管制造的III族氮化物基化合物半导体来实现（; 0≤X≤1;（的Al x Ga-X）yIn1-YN 0≤Y≤1）如要求所定义具有较大的带隙层之间保持的有源层的双异质结结构。

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