蓝宝石Czochralski晶体生长期间不同阶段传输过程对RF线圈位置的影响

蓝宝石晶体生长过程中的各个阶段上热感应加热直拉晶体生长炉中的RF线圈位置影响，并流传输时晶体 - 熔体界面的形状的形状，并且功率要求的数值研究。结果表明，虽然温度和速度下降的最大值，晶体熔融接口随着晶体长度的凸性增长。它被发现时所需的最小输入功率如果RF线圈的中心位置是在晶体生长过程中保持在低于熔体的中心的位置。在这样的晶体生长条件下，温度梯度沿结晶前小。

蓝宝石薄膜，一般为10微米厚，使用脉冲激光沉积从一个不掺杂钛蓝宝石衬底：蓝宝石单晶目标为0.1 ％（重量）氧化钛的掺杂水平。这些薄膜都显示利用离子束沟道和X-射线衍射技术具有非常高的晶体品质。钛掺入薄膜的程度使用电感耦合等离子体质谱法和粒子诱发X射线发射的影响。这些技术表明，高达0.08重量％氧化钛的水平存在于沉积层。


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