较之氧化钨薄膜，锂掺杂氧化钨薄膜的致密度有了极大的改善，从其SEM图可以看到薄膜表面的缺陷减少，孔洞几乎消失。有专家采用扫描电镜放大5.5K倍后对几个薄膜样品表面情况进行测试，如下图，其中，图（a）为图（d）的横截面图。

掺锂氧化钨电致变色薄膜可以高氯酸锂为锂源进行锂掺杂，采用溶胶凝胶法中钨的过氧化钨法制备得到。专家通过下述实验研究锂掺杂后三氧化钨薄膜性能的改变，并对掺杂量进行讨论。

较之WO3薄膜，Li掺杂三氧化钨薄膜的性能得到改善——薄膜变得致密光滑，电荷面密度增大，变色前后的光吸收差值可达53%。采用高氯酸锂掺杂之后，并没有改变整个WO3薄膜的晶化温度，仍然以220℃为最佳热处理温度，且WO3薄膜的平均厚度在270nm左右。

锂掺杂三氧化钨薄膜相对于三氧化钨薄膜而言，其薄膜的结构、色变响应性能得到了很大的提升。

有专家对钽掺杂氧化钨电致变色薄膜的表面形貌进行观察，发现其SEM图如下图所示，其中，（a）、（b）、（c）、（d）、（e）、（f）、（g）分别为未掺杂Ta、掺杂5%Ta、掺杂10%Ta、掺杂15%Ta、掺杂25%Ta以及掺杂35%Ta的WO3薄膜。

Ta掺杂氧化钨电致变色薄膜中，Ta掺杂量的多少会影响三氧化钨薄膜光谱调制能力的好坏。氧化钨薄膜的光学调制幅度ΔT为着色态与退色态透射率的差值。

相对于三氧化钨薄膜，钽掺杂WO3薄膜的着色效率有所提高，即薄膜的电致变色性能改善了，其中，钽掺杂量的临界值为15%，过度的掺杂则不利于薄膜呈现出高的电致变色效率。

薄膜的循环寿命是电致变色材料应用的一个重要参数，也是评价其性能好坏的重要标准之一。因而，有专家采用循环伏安法对Ta掺杂WO3薄膜的循环寿命进行测试，即在薄膜样品上反复施加-0.6～+0.6V的电压，使薄膜循环着退色多次，观察样品在50次循环后的循环伏安曲线的稳定性。未掺杂和掺杂15%钽的氧化钨薄膜的循环伏安曲线如下图所示。

Ta掺杂氧化钨薄膜的电致变色性能是怎样的情况？有专家通过下列实验获知。

专家表示，室温下沉积获得的纯三氧化钨薄膜为非晶态电致变色薄膜，薄膜表面光滑，质地均匀且多孔。而钽掺杂纳米三氧化钨电致变色薄膜也是非晶结构。当钽掺杂量在一定范围内时，薄膜表面光滑均匀。随着钽掺杂量的增加，开始有较大的颗粒镶嵌在薄膜内部，这些颗粒较为致密，破坏了薄膜的多孔性和均匀性。当掺杂量达到35%时，在薄膜表面甚至出现了微米级别的颗粒。